Новинка представляет собою чип резистивной памяти с произвольным доступом ReRAM (resistive random access memory chip) и характеризуется как низким уровнем энергопотребления, так и высокой скоростью записи, которая в 10 тыс. раз превосходит флеш-память NAND. Немудрено, что с такими показателями память ReRAM способна вытеснить с рынка ныне действующие модули DRAM, используемые в современных персональных компьютерах, и вышеупомянутые NAND, полюбившиеся производителями мобильных телефонов и цифровых камер.

Несмотря на то, что в разработке нового устройства принимают участие японский Национальный институт передовых индустриальных наук и технологий (AIST) и Токийский университет, конкуренты Elpida тоже решили показать, на что способны. Toshiba, к примеру, занялась разработкой нового типа флеш-памяти, тогда как Samsung взялась и за ReRAM, и за PRAM (phase-change random access memory), тип памяти, основанный на фазовом переходе, который, к слову, и был разработан в свое время для замены Flash. PRAM обладает существенно более высокой производительностью в областях, требующих быстрой записи, но, к сожалению, не лишен недостатков, поэтому его конкурентоспособность по отношению к ReRAM пока неизвестна.